JAEA
  • help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
検索結果：　9 件中 1件目～9件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

Vortex dissipation and level dynamics for the layered superconductors with impurities

藤田 あゆみ

Physical Review B, 64(6), p.064504_1 - 064504_6, 2001/08

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.64.064504
 被引用回数：0 パーセンタイル：0(Materials Science, Multidisciplinary)

磁場下での不純物を含む層状(2次元)超伝導体中で、ローレンツ力を受けて動いている磁束コア内の準粒子励起エネルギー準位の準位統計を調べる。磁束が移動する速度$$kappa$$をさまざまに変化させた場合に、不純物濃度が異なる各相において数値計算によりユニバーサルな伝導度を求めた。速度が大きい場合に、ランダム行列理論の予測する結果と一致する結果を得た。反対に速度が小さい領域では、磁束芯内の不純物が1個というsuper-clean極限でのLarkin-Ovchinnikovの結果$$sigma_{xx}propto kappa^{2/3}$$と一致する結果を得た。この場合、エネルギー散逸はエネルギー準位の間隔が平均のそれより非常に小さくなるいわゆる"avoided crossing"と呼ばれる場所でのLandau-Zener転移により起こると考えられる。

論文

Photon-stimulated ion desorption from mono- and multilayered silicon alkoxide on silicon by core-level excitation

馬場 祐治; Wu, G.; 関口 哲弘; 下山 巖

Journal of Vacuum Science and Technology A, 19(4), p.1485 - 1489, 2001/07

https://doi.org/10.1116/1.1359545
 被引用回数：5 パーセンタイル：26.32(Materials Science, Coatings & Films)

シリコン単結晶表面に吸着したテトラクロロシランにSi 1s領域の放射光を照射した時の分子の分解、イオン脱離機構を調べた。吸着分子自身の励起による効果とシリコン基板の励起による二次的効果とを区別するため、吸着層の数を正確に制御した系について検討した。単相吸着系では、脱離イオンのほとんどがCH$$_{3}^{+}$$イオンであり、その脱離強度は吸着分子のSi 1s→$$sigma$$*共鳴励起で最大となるが、シリコン基板の励起では脱離は認められない。一方、二次電子のほとんどはシリコン基板から発生することから、CH$$_{3}^{+}$$の脱離に寄与するのはオージェ電子、散乱電子などによる二次的効果ではなく、吸着分子自身の直接的な内殻共鳴励起効果によることが明らかとなった。

論文

Photodesorption from mono- and multilayer trimethylsilylfluoride (Si(CH$$_{3}$$)$$_{3}$$F) physisorbed on Cu(111) following Si K-shell excitation

関口 哲弘; 馬場 祐治

Photon Factory Activity Report 1998, Part B, P. 261, 1997/11

http://ccdb5fs.kek.jp/cgi-bin/img/tiff2gif?199823003+00279

電子励起による固体表面からの脱離過程は基礎的な物理過程の一つである。脱離生成物の種類や収量が吸着環境(基板との相互作用、スタッキング配向度、クラスター分子数など)に敏感であることが知られているがあまり系統的に研究されていない。本研究は銅(111)基板上に単分子及び多分子層Si(CH$$_{3}$$)$$_{3}$$Fを吸着させた系についてSi内殻電子励起により起こるイオン脱離過程を調べた。イオン収量の吸着量依存性曲線はそれぞれのイオン種に特徴的であった。CH$$_{3+}$$やF$$^{+}$$は1分子層表面で生じ、多層吸着でも大きな増加は示さない。一方、SiX$$^{+}$$,SiX$$_{3+}$$,SiX$$_{3+}$$,X=CH$$_{3}$$,Fは約3分子層から生じ始め約10分子層まで増加するが、それ以上吸着量を多くしても脱離収量は増えない。(1)金属基板との相互作用による脱励起過程は約3分子層以下で起こること、(2)イオン脱離は常に最上層の10分子層以内から生じることなどが結論された。

論文

Photon-stimulated desorption of fragment ions from solid benzene following carbon K-edge excitation

馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉

Photon Factory Activity Report, (14), P. 146, 1996/00

固相ベンゼンにC 1s領域の放射光軟X線を照射した時の脱離フラグメントイオンとオージェ電子スペクトルを想定した。C$$^{+}$$及びC$$^{2+}$$イオンの脱離はC 1s$$rightarrow$$$$pi$$$$^{ast}$$(b$$_{2g}$$)(h$$nu$$=288.6eV)のみで起こり、最も吸収の大きいC 1s$$rightarrow$$$$pi$$$$^{ast}$$(e$$_{2u}$$)(h$$nu$$=284.7eV)励起では起こらない。これは、クーロン反発力により分子の解離が起こるためには二価以上の多価イオン状態を生成する必要があるが、C 1s$$rightarrow$$$$pi$$$$^{ast}$$(e$$_{2u}$$)励起後の脱励起過程のほとんどが参加型(Participator型)のオージュ遷移であり、終状態が一価($$pi$$$$^{-1}$$)であるためと結論した。

論文

De-excitation in solid SiCl$$_{4}$$ following deep-core excitation at the K-edge; Relation between ion desorption and Auger decay

馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉

Surface Science, 357-358, p.302 - 306, 1996/00

https://doi.org/10.1016/0039-6028(96)00133-1
 被引用回数：9 パーセンタイル：49.93(Chemistry, Physical)

固相SiCl$$_{4}$$の1s電子を光励起した時の脱励起過程を調べ、イオンの脱離とオージェ過程の関係を明らかにした。1s$$rightarrow$$$$alpha$$$$^{ast}$$共鳴励起後のオージェ過程では、98%以上がスペクテーター型であり、パティシペーター型の寄与は2%以下であった。Cl1s励起では、Cl$$^{+}$$イオンは主としてCl1s$$rightarrow$$8a$$_{1}$$共鳴励起により脱離するのに対し、Cl1s$$rightarrow$$9t$$_{2}$$共鳴励起や、より高い励起エネルギーでは、ほとんど脱離しない。これは8a$$_{1}$$軌道の成分として反結合性Cl3P$$^{ast}$$軌道が多いため、1s軌道から励起された電子(スペクテーター電子)の存在により、Si-Cl結合が弱められたためであると結論した。

論文

Cascade Auger transition of resonantly excited S 1s in MoS$$_{2}$$

佐々木 貞吉; 馬場 祐治; 吉井 賢資; 山本 博之

Photon Factory Activity Report, (13), P. 345, 1995/00

KEK・PFのBL-27Aを利用し、MoS$$_{2}$$におけるS1s$$rightarrow$$3p$$^{ast}$$共鳴から始まるカスケード・オージェ遷移を光電子分光法で調べた。オージェカスケードに起因するLVVオージェピークは、S1s吸収端で強度を増す他、新しく高エネルギー側に2本目のピークLVV(2)が現れることを見出した。これは内殻2正孔を始状態とするカスケードと推測されるが、強度計算を行ったところ、実測値は計算値の1/3であった。オージェ遷移と原子外緩和過程と競争で、このような違いが生じたと考えられる。

論文

Desorption of atomic and molecular fragment ions from solid CCl$$_{4}$$ by core excitation around the K-edge

馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉

Photon Factory Activity Report, (13), P. 353, 1995/00

高エネルギー物理学研究所放射光実験施設(PF)の共同利用実験に関する年度報告書の原稿である。固体CCl$$_{4}$$分子にK-吸収端近傍の放射光(2810~2850eV)を照射した時の脱離イオンを調べ、原子状フラグメント(Cl$$^{+}$$)と分子状フラグメント(CCl$$_{3+}$$)の脱離挙動に差異があることを見出した。

論文

Element selectivity of fragment-ion desorption from adsorbed PCl$$_{3}$$ by 1s$$rightarrow$$$$sigma$$$$^{ast}$$ resonant photoexcitation

馬場 祐治; 吉井 賢資; 山本 博之; 佐々木 貞吉; W.Wurth*

Photon Factory Activity Report, (13), P. 354, 1995/00

高エネルギー物理学研究所放射光実験施設(PF)の共同利用に関する年度報告書用の原稿である。PCl$$_{3}$$吸着層に対し、PおよびCl原子の1s電子を共鳴励起したところ、P1s$$rightarrow$$$$alpha$$$$^{ast}$$(2147eV)とCl1s$$rightarrow$$$$alpha$$$$^{ast}$$(2823eV)で脱離イオン種が全く異なることを見いだし、内殻共鳴励起による分子の分解、脱離反応に強い元素選択性があることを明らかにした。

口頭

Core seismic experiment of a full-scale single model for a fast reactor

岩崎 晃久*; 澤 直樹*; 松原 慎一郎*; 北村 誠司; 岡村 茂樹*

no journal, , 

高速炉の炉心は数百本もの炉心構成要素で構成されている。炉心構成要素は六角柱の梁形状であり、下部の炉心支持板に差し込まれて自立している。また、隣接する炉心構成要素は小さいギャップを有して六角配列で冷却材中に配置されている。炉心構成要素は、熱膨張やスウェリングの影響を回避するため、鉛直方向には固定されていない。近年、日本では、想定される地震動が大きくなり、鉛直方向の地震動が重力加速度を超えることで、炉心構成要素の鉛直方向変位(跳び上がり)と水平方向変位を同時に考慮する必要が生じた。この3次元振動挙動は、周囲冷却材からの流体力や周囲構造物との干渉の影響を受ける。本研究では、実寸大の試験体を用いて単体振動試験を行い、炉心構成要素の3次元振動挙動の基本的な特徴を確認した。また、鉛直方向変位を抑制する構造(ダッシュポット構造)を考案し、その効果を確認した。試験の結果、雰囲気(空気中, 水中, 流水中)、パッド部隙間、加振方向、加振波形やダッシュポット構造が炉心構成要素の振動挙動に与える影響について確認した。雰囲気については、冷却材の流れを模擬した流水中では上向き流体力が作用するため、気中・水中より鉛直方向変位は大きくなった。パッド部隙間については、隙間が大きいほど水平変位による干渉効果が強くなり、鉛直方向変位を低減させた。また、ダッシュポット構造については、鉛直方向変位を低減する構造として適していることが確認できた。

9 件中 1件目～9件目を表示
  • 1